三星向ASML、佳能订购约70台光刻设备，含20台EUV总值超74亿美元
三星电子（Samsung Electronics）作为全球最大的存储芯片制造商，据行业消息人士透露，已向荷兰半导体设备制造商 ASML 订购了约 20 台极紫外（EUV）光刻系统。若计入深紫外（DUV）设备，总光刻设备订单量达到了约 70 台。三星计划通过确保压倒性数量的光刻工具，以维持其在超精细工艺上对比竞争对手 SK 海力士（SK hynix ）和美光（Micron）的决定性领先优势。
多家半导体行业消息人士于周五证实，三星已向 ASML 和日本佳能（Canon）发出了约 70 台光刻系统的采购订单，这些设备将安装在其平泽园区 5 号厂房（P5）的第一阶段。
仅 EUV 光刻机订单就包含约 20 台，价值超过 10 万亿韩元（约 74 亿美元）。这些设备将用于提升公司 DRAM 专用的第六代 10 纳米级工艺（1c）的产能。1c 工艺更高的生产率将相应地增加第六代高带宽内存（HBM4）的产量，该产品正是基于该节点构建的。
三星于今年 2 月全球首次量产了 HBM4，并一直向全球最大的 AI 芯片公司英伟达（Nvidia）供货。HBM4 被用于英伟达最新的高性能 GPU —— Rubin。业界预计 Rubin 将于今年下半年全面推出，随着其供应给包括谷歌（Google）和亚马逊（Amazon）在内的美国大科技公司，预计将产生超过 1 万亿美元（1,500 万亿韩元）的收入。
为了配合 Rubin 的发布，三星正计划在华城 H3 17 线以及平泽 P3、P4 厂房扩大 HBM4 的产量。一旦新订购的 EUV 系统从 ASML 陆续交付，三星预计将同时扩大 DRAM 和 HBM4 的产出，巩固其在存储半导体市场的统治地位。
订购的光刻设备计划于明年第一季度交付，与 P5 第一阶段洁净室的完工时间同步。鉴于半导体设备的运输通常需要约一年时间，预计三星将于第二季度开始在 P5 洁净室安装包括 EUV 系统在内的光刻工具。因此，三星的 1c DRAM 和 HBM4 产能极有可能在明年上半年大幅提升。
行业分析师表示，三星的大规模光刻订单标志着该公司开始扩大与竞争对手在超精细工艺技术上的差距。在 HBM 市场陷入激烈竞争的 SK 海力士在上月底与 ASML 签署了约 20 台 EUV 系统的合同，价值约 12 万亿韩元。SK 海力士计划将其 EUV 总量提升至约 40 台，以增强其在超精细工艺中的竞争力。
然而，三星新订购的约 20 台 EUV 系统意味着两家公司在超精细工艺方面的设备差距可能会持续存在。三星目前运营着约 40 台 EUV 系统，大约是 SK 海力士持有数量的两倍。随着包括 EUV 单元在内的约 70 台光刻工具的加入，三星可以继续在与 SK 海力士的超精细工艺竞赛中保持领先。分析师补充称，三星还可能自HBM5E开始在第七代 10 纳米级 DRAM（1d）的研发竞争中获得优势，。
三星计划在平泽 P5 部署约 20 台 EUV 系统。如果 P5 的所有四个阶段都配置为 DRAM 生产线，三星的产量将能够达到 SK 海力士的两倍以上。
“在过去，建造新厂时通常先决定 NAND 闪存（NAND flash）生产线，但由于 HBM4 出货量的预期增长，这次决定优先扩大 DRAM 生产线，”一位熟悉此事的行业官员表示。“EUV 设备预计将从明年第二季度开始陆续引入。”。
- 收藏
