三星启动8英寸氮化镓代工线，预计二季度全面量产
据行业消息人士透露，三星电子(Samsung Electronics Co.)即将启动8英寸（200毫米）氮化镓(GaN)功率半导体代工厂的运营，最早有望于第二季度开始全面量产。
此举标志着三星在宣布进军氮化镓代工业务三年多后，正式进入该生产领域。尽管已确保了一家客户，但由于客户群有限，预计其氮化镓代工收入将维持在1000亿韩元以下。
三星将其服务模式定位为不包括芯片设计的交钥匙服务，旨在提升盈利能力。同时，该公司自主生产晶圆，而非从外部采购。氮化镓半导体使用由镓和氮组成的特殊晶圆。在试运行阶段，晶圆最初从外部采购，但现在三星已开发出可量产的优质外延晶圆，并将用于生产中。
其国内竞争对手DB HiTek同样在提供代工服务的同时供应晶圆，但将封装工序外包。预计DB HiTek将于今年下半年开始量产氮化镓代工产品，比三星晚一到两个季度。SK Keyfoundry也将目标瞄准氮化镓代工市场，但预计短期内不会实现量产。
功率半导体按材料主要分为氮化镓和碳化硅(SiC)两大类。与传统的硅(Si)材料相比，这两种材料都具有更宽的禁带宽度，从而在高压下能实现更好的电流阻断效果和更高的效率。
氮化镓器件通常用于1200伏以下的应用场景，包括电动汽车充电站和智能手机充电器。它们也是提高人工智能数据中心电力转换效率的关键部件。英伟达(Nvidia)正在推广800伏直流(DC)电源架构，这需要将高压直流电在服务器内部转换为较低电压，而基于氮化镓的转换器在此过程中被广泛使用。氮化镓在高压运行和快速开关方面具有优势，能够实现更高的功率密度、减少热量产生并实现更紧凑的系统设计。
三星此前曾在2023年宣布计划于2025年开始运营功率半导体代工业务，但该时间表已被推迟。代工企业通常在填补产能之前确保客户，三星此次决定推进业务，似乎是在过去一年内成功获得了客户。
预计三星还将于今年启动一条碳化硅(SiC)功率半导体代工生产线。与氮化镓业务不同，三星计划为碳化硅提供涵盖从设计到封装的全套服务，产品电压范围为1200伏至1700伏。
三星表示，无法确认有关氮化镓功率半导体代工业务的具体细节。
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