用于纳米制造的电子束光刻 Electron beam lithography for Nanofabrication

电子束光刻（EBL）已经成为纳米级米范围内最常见的图形化技术之一。它使纳米技术和纳米科学研究领域内的结构和器件的纳米制造成为可能。

EBL是基于通过扫描抗蚀剂上的聚焦高能电子束来定义亚微电子特征。电子的性质和超细光束的发展及其灵活的控制，为满足纳米制造的要求提供了平台。使用EBL的发展广泛的纳米结构，纳米设备和纳米系统，并继续，至关重要的应用面具生产，原型和离散设备的基础研究，它依赖于其高分辨率，灵活性和兼容性与其他传统的制造过程。

本文的目的是推进电子束光刻技术在微/纳米系统和纳米电子学领域的知识、发展和应用。在这个方向上，这个记忆反映了IMB-CNM的纳米制造实验室在过去5年里所做的部分工作。由于之前在CNM没有关于EBL的经验，因此开发一组流程的需要部分决定了工作，并在本文档中得到了说明。