东京电子下一代晶圆涂布设备开始安装，为北美首座公有高NA EUV光刻中心奠定基础
当地时间2026年4月9日，纽约州州长Kathy Hochul（凯西 霍楚）宣布，东京电子专为下一代半导体制造设计领先的300毫米晶圆涂布/显影系统，已开始在NY CREATES 下属的奥尔巴尼纳米科技综合体（Albany NanoTech Complex）进行安装。 这台名为CLEAN TRACK™ LITHIUS Pro DICE™的设备，用于在硅晶圆上涂布和处理光敏层——而这一光敏层正是制造计算机芯片的基础平台。借助该设备，研究人员能够制造出下一代先进处理器、存储器、传感器等所需的微细图案。这是运抵奥尔巴尼纳米技术综合体即将建成的高数值孔径极紫外光刻中心的首台大型设备。该中心将是北美首个、也是唯一一个公有且对外开放的高数值孔径极紫外光刻研究基地。
州长霍楚表示： “纽约州在半导体制造和研发领域处于全国领先地位，为‘高数值孔径极紫外光刻中心’（High NA EUV Lithography Center）安装这一设备，将使纽约始终保持在芯片创新的最前沿。这一公告展示了公私合作伙伴关系的重要性，以及我们如何通过共同努力为纽约人乃至全国交付成果，提供尖端技术以支持本州的突破性制造。”
在接下来的几个月里，阿斯麦（ASML）的高数值孔径（High NA）EUV光刻系统——这堪称有史以来最先进的机器——将分批运抵，并安装在全新的 NanoFab Reflection (NFR) 大楼内。预计在今年年底前，该设备将实现“首光”（First Light），即首次开启EUV光源。在此进展之前，NFR大楼已于去年12月完成了“封顶”里程碑，州长霍楚当时出席并见证了施工团队安置大楼最后一根钢梁。
霍楚州长于2023年12月宣布成立 NY CREATES 高数值孔径极紫外光刻中心。这是一项耗资 100亿美元 的合作伙伴计划，其中包括来自 IBM、美光（Micron）、应用材料（Applied Materials）、东京电子等半导体行业领军企业的 90 亿美元投资，以及来自帝国州发展局（Empire State Development）的 10 亿美元资金。该计划正在 NY CREATES 奥尔巴尼纳米科技综合体建立下一代半导体研发中心，以支持全球最复杂、最强大的半导体研发。
行业表态：塑造计算的未来
帝国州发展局总裁、CEO 兼专员 Hope Knight 表示： “纽约州已牢固确立了其全球尖端半导体研究枢纽的地位，这以奥尔巴尼纳米科技综合体等世界级资产为基石，并由前所未有的公私伙伴关系所强化。通过有针对性的战略投资，我们正在构建一个稳健的生态系统，以加速创新、支持下一代技术并吸引行业领袖。这些努力不仅在推动芯片研发的未来，还在创造高质量就业机会、扩大机遇，并确保纽约在未来几十年内于这一关键行业中的领导地位。”
参议员查克·舒默（Charles Schumer）表示： “全球最顶尖的极紫外芯片制造技术目前正在首都地区安装。这是一个巨大的飞跃，将推动美国在芯片制造领域的发现，这些发现是当今科学家甚至无法想象的。我的《芯片与科学法案》已在纽约州上州地区提供了大量联邦投资，帮助从锡拉丘兹到奥尔巴尼的社区在半导体制造领域领跑。这一最先进的高数值孔径极紫外光刻中心将为这些努力提供强劲动力。随着这一新型先进芯片制造工具的安装，奥尔巴尼纳米科技正在引领全美国。”
NY CREATES 总裁兼 CEO Dave Anderson 表示： “随着我们开始为高数值孔径极紫外光刻中心安装第一台主要设备，我们在实现全球最先进半导体研究能力的道路上迈出了重要一步。东京电子的 LITHIUS Pro DICE 系统将在支持高数值孔径极紫外操作和加速行业合作伙伴的突破方面发挥基础性作用。我们很高兴能与我们基地的长期合作伙伴 TEL Technology Center America (TTCA) 以及 ASML 协调这一初步工作。这一进展反映了纽约州的战略投资，以及我们团队致力于在奥尔巴尼纳米科技综合体推动美国下一代半导体创新的承诺。”
TEL Technology Center America (TTCA) 总裁 Alex Oscilowski 表示： “在奥尔巴尼纳米科技综合体的高数值孔径极紫外光刻中心安装 LITHIUS Pro DICE 系统，凸显了半导体生态系统在共同致力于创新时所能实现的成就。随着高数值孔径极紫外技术的投入运营，它将加速人工智能、高性能计算以及那些将塑造世界连接、计算和创造方式的技术进步。”
ASML 高数值孔径极紫外业务主管 Peter Vanoppen 表示： “高数值孔径极紫外技术是下一代半导体创新的关键推动力。奥尔巴尼纳米科技综合体的新中心将为行业和研究合作伙伴创造一个无价的研发环境，以便在最先进的光刻技术上进行协作。ASML 很荣幸能通过即将交付的 EXE:5200B 光刻系统支持该中心的下一代开发，这将有助于加强美国的半导体生态系统并加速未来的创新。”
美光科技（Micron Technology, Inc.）执行副总裁兼首席技术和产品官 Scott DeBoer 表示： “首台高数值孔径极紫外工艺设备运抵 NY CREATES，标志着纽约州和美国先进半导体研发的一个重要里程碑。该中心对于构建驱动下一代存储器和逻辑技术的研发生态系统至关重要，能支持未来的高性能计算和先进 AI。这与美光的超级工厂投资相辅相成，通过支持长期成功所需的研发、人才和创新渠道，将创造 5 万个就业岗位。美光很荣幸能在奥尔巴尼纳米科技开展合作，助力加强美国在半导体制造领域的领导地位和韧性。”
IBM 半导体总经理兼混合云副总裁 Mukesh Khare 表示： “这一里程碑是高数值孔径极紫外光刻中心及奥尔巴尼纳米科技综合体创新生态系统向前迈出的重要一步。IBM 在引领芯片技术进步方面有着悠久的历史，包括 2021 年推出的全球首个 2 纳米节点芯片。高数值孔径极紫外技术对于 2 纳米以下的缩放至关重要，这种能力将加速突破，从而塑造计算的未来。”
NY CREATES 高数值孔径极紫外光刻中心目前已向业界提供标准数值孔径（Standard NA）的极紫外光刻能力。高数值孔径极紫外光刻能力将允许在最先进的技术节点上进行芯片开发，同时作为一个平台，通过提供对 NY CREATES 尖端研发基础设施的使用权，促进合作伙伴的进一步增长。
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