华虹将紧随中芯国际步入 7 纳米工艺！韩媒：十年内或现“中国版ASML”

在全球半导体产业博弈愈发激烈的背景下，中国在芯片领域的追赶进度备受关注。近日，韩国成均馆大学半导体融合工程系教授权锡俊（Kwon Seok-joon）在接受《朝鲜日报》采访时表示，尽管面临外部限制，但“中国版 ASML”有望在十年内正式问世。

光刻设备的突破与替代方案

权锡俊指出，中国正全面加速半导体设备的国产化进程。目前，中国正利用自主研发的深紫外（DUV）光刻工具来规避美国对极紫外（EUV）设备的限制。据报道，华为已在其东莞工厂测试 EUV 光刻系统的关键组件，预计该设备可能在 2025 年第二季度开始试产，并计划于 2026 年实现规模化制造。

该系统采用的是激光放电等离子体（LDP）光源来产生 13.5 纳米波长的光，这被视为 ASML 昂贵的激光产生等离子体（LPP）光源的一种更具成本效益的替代方案。目前，中国在光源、光学系统和精密机械工程等尖端半导体制造的关键技术上均取得了显著进展。权教授补充称，中国在 10 纳米以上的成熟工艺节点已接近追平国际水平，同时其半导体材料、零组件、设备及封装领域也在快速扩张。

权锡俊指出，中国的半导体产业得到了多重结构性优势的支持，包括庞大的内需市场、数十年持续的国家资金投入，以及通过长期实验积累技术的能力。此外，中国还在大力投资人才培养，高校不断扩大半导体师资、研究生项目和洁净室设施，地方政府也通过提供廉价电力和基础设施支持。

中国先进芯片领域布局仍正在加速

据路透社报道，有消息人士称，华虹集团旗下上海华力微电子正在其上海工厂研发7纳米制程工艺。如果实现，华力将成为继中芯国际之后，中国第二家具备该制程节点芯片生产能力的芯片制造商。消息人士称，7纳米制程的研发去年在华虹六厂启动，得到了包括华为支持的晶瑞在内的国内设备供应商的支持。

公司目标是在2026年底前实现数千片晶圆的月产能，并计划未来进一步扩大。消息人士称，中国GPU设计公司壁仞科技正在使用华力的7纳米生产线进行流片。流片是芯片设计完成、批量生产前交付原型制造的阶段。

注：本文资讯源自《朝鲜日报》、EENews Europe及路透社。

原文：[News] Korean Expert Predicts “Chinese ASML” by 2030; Hua Hong Said to Join SMIC at 7nm