意法半导体宣布，其行业领先的硅光子平台已进入大规模量产阶段，以满足AI基础设施的强劲需求
PIC100 技术已在 300 毫米晶圆产线实现大规模量产，服务于领先的超大规模数据中心；公司计划到 2027 年将产能提升至四倍以上，并于 2028 年进一步扩张
ST 发布了 PIC100 硅通孔（TSV）未来技术路线图
瑞士日内瓦 — 2026 年 3 月 9 日 — STMicroelectronics (NYSE: STM)，全球半导体行业领军企业，今日宣布其用于数据中心和 AI 集群光互连的先进硅光子 PIC100 平台正式投入大规模量产。随着 AI 计算需求的爆发式增长，这些 800G 和 1.6T PIC100 收发器将为客户提供更高的带宽、更低的延迟以及更出色的能效表现。
“继 2025 年 2 月发布全新的硅光子技术后，ST 现已开启为领先的超大规模数据中心客户的大规模交付。我们的技术平台与 300 毫米制造产线的规模化优势相结合，赋予了我们支持 AI 基础设施‘超级周期’的独特竞争力，” 意法半导体质量、制造与技术部总裁 Fabio Gualandris 表示。“展望未来，我们正稳步推进产能扩充，预计到 2027 年产能将达到目前的四倍以上。这一快速扩张策略得到了客户长期产能预留承诺的强力支撑。”
“数据中心可插拔光学器件市场持续强劲增长，2025 年市场规模已达 155 亿美元。预计 2025 年至 2030 年间，该市场将保持 17% 的复合年增长率（CAGR），至 2030 年底市场规模将突破 340 亿美元。此外，共封装光学（CPO）将成为快速崛起的细分领域，到 2030 年预计贡献超过 90 亿美元的收入。同期，采用硅光子调制器的收发器市场份额预计将从 2025 年的 43% 上升至 2030 年的 76%，” LightCounting 首席执行官兼首席分析师 Vladimir Kozlov 博士指出。“ST 凭借领先的硅光子平台和积极的扩产计划，展示了其为超大规模数据中心提供长期供应保障、稳定质量及制造韧性的实力。”
即将推出的 PIC100 TSV 平台技术
当前，AI 基础设施正处于前所未有的规模扩张期，云端光互连性能已成为系统性能的关键瓶颈。依托多年的硅光子技术创新， 展现了顶尖的光学性能，包括行业领先的硅和氮化硅波导损耗（分别低至 0.4 dB/cm 和 0.5 dB/cm）、先进的调制器和光电二极管表现，以及创新的边缘耦合技术。
在推进 PIC100 大规模量产的同时，ST 正规划部署其硅光子技术蓝图的下一阶段： 平台。该平台通过集成硅通孔（TSV）技术，旨在进一步提升光学连接密度、模块集成度以及系统级热效率，并支持未来近封装光学（NPO）和共封装光学（CPO）的应用，助力超大规模数据中心实现向更深层光电集成架构的平滑过渡。
OFC 2026 上的意法半导体
ST 将在即将于美国洛杉矶举办的光纤通信会议（OFC，3 月 15-19 日）上发布业务及技术路线图的最新进展：
发表题为“一种用于 200Gbits/通道应用的创新型 300mm 背侧集成硅光子平台”的学术论文
展示由 Sicoya 和 STMicroelectronics 联合驱动的 1.6T-DR8 硅光子收发器（首款 PIC100 应用演示，请莅临 Sicoya #507 展位）
参与 CEA-Leti 专题活动：“光互连：驱动 AI 工厂及未来创新”（3 月 18 日，太平洋时间下午 6-8 点）
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