晶圆厂公布产能再平衡与成本管控新规划

过去数周，Texas Instruments、Onsemi、IonQ 与 Micron 均推进了重大制造项目，覆盖新晶圆厂投产、制程技术合作、垂直整合及全新工厂建设等多个维度。

此次公布的项目包括：Texas Instruments 在得克萨斯州谢尔曼工厂启动 300 毫米晶圆量产，Micron 在新加坡为全新先进 NAND 闪存工厂举行奠基仪式；Onsemi 与 GlobalFoundries 就氮化镓功率器件展开技术协同，IonQ 则着手收购美国晶圆代工企业 Skywater Technology。

Texas Instruments 启动 300 毫米晶圆量产

Texas Instruments 位于得克萨斯州谢尔曼超级制造基地的首座 300 毫米晶圆厂 SM1 正式投产，这也是该基地规划四座 300 毫米晶圆厂中的第一座，标志着项目从建设阶段迈入量产阶段。该公司表示，这座晶圆厂已开始向客户出货器件，工厂设计产能拉满后，日均芯片产量将达数千万颗。

图 | TI 总裁兼首席执行官 Haviv Ilan、得克萨斯州州长 Greg Abbott 等人出席 TI 谢尔曼新半导体晶圆厂剪彩仪式并共同庆祝。（来源： Texas Instruments）

谢尔曼基地成 TI 长期制造战略核心，Onsemi 与 GlobalFoundries 联手布局 200 毫米氮化镓功率器件

Sherman 基地是 TI 长期制造战略的核心所在。该企业已规划在美国本土三座基地 —— 得克萨斯州 Sherman 基地、得克萨斯州 Richardson 基地以及犹他州 Lehi 基地 —— 投入超 600 亿美元建设晶圆厂，其中仅 Sherman 基地的规划投资额就高达 400 亿美元。SM1 晶圆厂聚焦 300 毫米制程的模拟芯片与嵌入式处理芯片研发生产。

Sherman 基地产出的器件将覆盖 TI 核心产品组合，包括电源管理集成电路、信号链器件、微控制器，以及应用于工业自动化、汽车电子和基础设施设备的混合信号元件。将这类产品的生产切换至 300 毫米晶圆制程，不仅能降低单位芯片的制造成本，还能让 TI 在那些客户重视产品长期供应稳定性与交付可预测性的市场中，对供应链实现更严格的把控。

Onsemi 与 GlobalFoundries 联手布局 200 毫米氮化镓功率器件

Onsemi 与 GlobalFoundries（GF）宣布达成合作，联合研发下一代氮化镓功率器件，首期将基于 GF 的 200 毫米增强型硅基氮化镓制程，开发 650 伏横向氮化镓器件。双方预计将于 2026 年上半年向客户提供样品。

此次合作让 Onsemi 的宽禁带半导体产品组合，新增了一条由晶圆代工厂背书的制造路线，与企业内部在碳化硅领域的投资形成互补。与此同时，随着越来越多客户为提升能效，不再局限于硅基金属 - 氧化物半导体场效应晶体管，此次合作也助力 GlobalFoundries 打造更具差异化的特色制程解决方案。采用 200 毫米晶圆是本次合作的关键亮点，这一选择能让氮化镓器件生产依托成熟的硅基制造设备，实现相比 150 毫米产线更高的生产效率，进而优化成本、提升规模化生产能力。

双方研发的首款 650 伏氮化镓器件，将瞄准高效功率转换领域。数据中心电源、人工智能加速器机柜、通信基础设施以及部分汽车系统，均能从氮化镓器件更快的开关速度和更低的损耗中获益。随着这类系统功率密度的不断提升，横向氮化镓技术能让设计人员在无需升级至更高电压等级的前提下，实现磁性元件的小型化，并提升系统整体能效。

氮化镓的技术优势已得到验证，但稳定、高良率的量产工艺，仍是其大规模商用的一大障碍。此次双方基于已完成验证的 200 毫米制程平台开展研发，旨在推动氮化镓从一款小众解决方案，升级为可实现稳定量产、具备规模商用条件的功率半导体技术。

图 | Skywater 晶圆厂的技术人员

Skywater 的产线可支持特色制程、异质集成及高安全等级制造，这些能力均与 IonQ 的离子阱架构，以及其研发容错量子处理器的长期规划高度契合。IonQ 已将此次收购与核心目标绑定，计划 2028 年前完成 20 万量子比特系统的功能测试。

该合作的辐射领域包括政府、国防及科研行业，这类领域对先进计算硬件的本土高可信制造存在刚性需求。从更宏观的视角来看，这笔交易也凸显出一个行业趋势：当传统晶圆代工的商业逻辑，与小批量、高复杂度器件的生产需求不匹配时，新兴计算范式的落地，或许需要垂直整合的制造模式作为支撑。

Micron 在新加坡为先进 NAND 晶圆厂举行奠基仪式

Micron 已在新加坡为全新先进晶圆制造工厂举行奠基仪式，首期建设投入 70 亿美元，包含设备在内的总投资额最高可达 240 亿美元。该公司预计，这座晶圆厂将于 2028 年下半年开始量产 NAND 晶圆。

数十年来，新加坡一直是 Micron 制造版图的核心布局地，这座新晶圆厂的落地，将进一步巩固其在先进 NAND 领域的制造核心地位。尽管 Micron 已在美国扩大存储器制造规模，但此次对新加坡的投资也表明，前沿存储器的制造布局仍保持全球分布式特点。

该晶圆厂将专注生产先进 NAND 闪存，为数据中心、企业级系统及消费电子设备的固态存储产品提供核心支撑。随着人工智能负载推动市场对大容量、高耐用性存储的需求攀升，在存储器层级架构中，NAND 闪存仍是动态随机存取存储器（DRAM）和高带宽存储器（HBM）的关键互补品类。

Micron 在量产前数年便敲定资本投入，此举旨在依托现代化制造设备和更高的位密度，为未来市场需求的激增做好产能布局。对于 Micron 在云计算、汽车及工业领域的客户而言，这意味着随着系统需求的持续升级，他们将能获得先进非易失性存储器的稳定供应。

资讯来源：All About Circuits