格芯与台积电 GaN合作，功率半导体版图大洗牌

台积电宣布将在两年内逐步退出氮化镓（GaN）晶圆代工业务，此消息持续在产业界掀起波澜。最新进展是：GlobalFoundries（GF，格芯）正式取得台积电 650V 与 80V 功率氮化镓制造技术的授权。

台积电早在 2011 年就启动 GaN 制造技术的正式开发，凭借其深厚的 CMOS 制程经验，大幅推动了硅基氮化镓（GaN-on-Si）技术的商用化。2015 年，台积电克服了外延生长复杂性、晶圆翘曲与破裂、严格的交叉污染管控等技术难题，正式量产 GaN-on-Si 制程。

台积电从一开始就对 GaN 制程设定极高的可靠性标准，率先通过 JEDEC 与 MIL-STD 可靠性认证，确保产品能在高温、高压、高湿等严苛环境下稳定运行。同时通过缺陷检测与分类系统（FDC）以及大数据驱动的工程分析，确保良率与缺陷管控。

GF位于佛蒙特州的工厂正在对台积电的GaN-on-Si制造技术进行认证。（来源：GF）

Navitas 的关键角色

在 GF 取得台积电 GaN 技术授权不到一周，全球最大的 GaN 芯片供应商 Navitas Semiconductor (纳微半导体)随即宣布与 GF 达成 GaN 代工合作，开发工作将于 2026 年初启动，同年晚些时候开始量产 GaN 芯片。

Navitas 与台积电长达多年的深度合作，是 GaN 领域"无晶圆厂（fabless）+ 代工厂"模式的典范。这家位于美国加州托兰斯的初创公司在 2017 年凭借台积电代工的 GaNFast 功率集成电路实现突破，进入量产阶段，随后被 Anker、联想、小米等消费品牌的大功率快充产品广泛采用。

此后，Navitas 一直是台积电 GaN 代工业务的最大客户与标杆案例。目前 Navitas 占台积电 GaN 晶圆产能近一半，未来将把生产转向 GF 位于美国佛蒙特州伯灵顿（Burlington）的晶圆厂，该厂正在进行台积电 650V 与 80V GaN 技术的制程认证。

• 650V 高压平台主要用于电源适配器、马达驱动、光伏逆变器等对能效要求极高的应用；
• 80V 中压制程则瞄准服务器与笔记本电脑的电源系统。

美国本土 GaN 供应链成型？

值得注意的是，台积电宣布退出 GaN 代工后不久，曾有媒体报道称 Navitas 将在未来 12–24 个月内把产能转移到台湾另一家晶圆代工厂——力积电（PSMC）。但现在 Navitas 选择转单 GF，不禁让人思考：

这是否意味着一项关键半导体技术正将供应链重心转向美国本土？是否是为了在 AI 数据中心、电动车、电网基础设施等高功率应用领域，建立更具韧性的美国制造版图？

在传统 CMOS 硅基方案逐渐触及功率系统性能天花板的当下，GaN 正凭借更高的效率、功率密度与紧凑性，成为从轻薄手机到巨型数据中心的高压功率首选技术。GaN 在高电压、高频率、耐高温等严苛要求上恰好击中甜点。

与此同时，GF 刚刚再获得美国联邦政府 950 万美元额外资金，用于强化 GaN 制造能力。据产业报道，GF 至今已累计获得超过 8000 万美元的美国政府资金支持其 GaN 项目。

GF 的 GaN 大棋

通过与台积电的交易，GF 不仅全面强化了自身 GaN-on-Si 技术实力，尤其是在 PDK（工艺设计套件）成熟度与制造良率方面。目前 GF 正在佛蒙特州工厂开发 200mm GaN-on-Si 制造能力。

与台积电的 IP 合作还将加速 GF 生态系统的构建，并凭借台积电成熟的制程技术，带来更多量产订单。简单来说，台积电久经验证的制程 IP 将大幅提升 GF 在 GaN 代工领域的竞争力与规模化能力。

与此同时，GF 持续扩充 GaN 相关设备、工具与原型验证能力。去年，GF 收购了 Tagore Technology 的 GaN IP 组合，进一步彰显其对宽禁带半导体大规模制造的决心。

GF 正以战略投资布局 GaN 制造 IP、设备与工具（图源：GF）

以战略布局著称的 GF，显然志在成为美国 GaN 制造中心，并极有可能承接台积电目前大部分 GaN 晶圆业务，尤其是美国本土 GaN 厂商的订单。

台积电计划在 2027 年 7 月 31 日前完全关闭 GaN 晶圆业务，因此 2026 年将成为 GaN 器件制造格局的根本转折年。我们也将清晰看到，中国大陆成本优势明显的 GaN 晶圆厂，在这一快速崛起的技术领域究竟拥有多少话语权。

GaN 功率半导体大洗牌

今年夏天台积电宣布退出 GaN 代工时，业界分析了多种原因——来自中国大陆代工厂的激烈竞争、利润率较低、台积电希望把资源集中到 CoWoS 等先进封装以满足 AI 需求——这些理由都说得通。

然而，台积电在三十多年技术历程中，从来不是轻易放弃技术的公司。那么，把这项关键技术移交给美国，是否从一开始就是与美国科技体系某种「安排」的一部分？或者至少是多个考量因素之一？

无论如何，GF 与台积电的战略合作，将对整个 GaN 半导体产业产生深远影响。这种技术整合也有望解决当前 GaN 晶圆在大规模制造中面临的诸多难题。

一场 GaN 功率半导体的全球版图重塑，正在加速上演。

关于格芯（Global Foundries）

GlobalFoundries (GF) 是全球生活、工作和连接所依赖的重要半导体的领先制造商。我们不断创新并与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施和其他高增长市场提供更节能、更高性能的产品。GF的生产足迹遍布美国、欧洲和亚洲，是全球客户值得信赖的可靠供应商。每天，我们才华横溢的全球团队都在不懈地关注安全性、使用寿命和可持续发展，为客户创造成果。欲了解更多信息，请访问 www.gf.com。

关于纳微半导体

纳微半导体（Navitas Semiconductor，纳斯达克代码：NVTS）是新一代功率半导体行业领导者，专注于氮化镓（GaN）与集成电路（IC）器件，以及高压碳化硅（SiC）技术研发，旨在推动人工智能与数据中心、能源与电网基础设施、高性能计算及工业应用领域的创新。凭借在宽禁带技术领域超过30年的经验积累，纳微旗下的GaNFast™功率芯片将氮化镓功率器件、驱动、控制、感测与保护功能高度集成，实现更快的功率传输、更高的系统功率密度及更卓越的能效表现。GeneSiC™高压碳化硅器件采用受专利保护的沟槽辅助平面技术，为中压电网及基础设施应用提供业界领先的耐压能力、效率与可靠性。纳微半导体已拥有或正在申请的专利超过300项，是全球首家获得CarbonNeutral®碳中和认证的半导体公司。