台积电将采用“Photomask Pellicles”，而不是购买价格高昂的高数值孔径 EUV 光刻机，用于 1.4nm、1nm 先进工艺

较新的 2 纳米制程可以继续利用台积电现有的 EUV 光刻机进行量产，并提高良率。但随着这家台湾半导体巨头向 1.4 纳米和 1 纳米（也称为 A14 和 A10）等 2 纳米以下节点迈进，它将面临制造方面的障碍。现在，通过购买 ASML 先进的高数值孔径 EUV 光刻机可以轻松解决这个问题，但一份新报告指出，台积电将不再购买 ASML 光刻机，而是转向光掩模薄膜（Photomask Pellicles）。

尽管台积电将采取“反复试验”的方法来提高生产可靠性，但预计光掩模薄膜的成本将低于购买价值 4 亿美元的高 NA EUV 光刻机

2纳米晶圆预计将于2025年底全面投产，之后台积电将最终过渡到1.4纳米节点。该公司已为 迈向先进制程奠定了基础，预计将于2028年左右开始量产。台积电初期投资高达1.5万亿新台币（约合490亿美元），目前正以闪电般的速度推进，在新竹工厂启动1.4纳米制程的研发，并购置了30台EUV光刻机。

然而，台积电拒绝采取的一项举措是购买ASML高数值孔径EUV光刻机，单台售价4亿美元。然而，这台设备将确保以更高的良率可靠地生产1.4纳米和1纳米晶圆。该公司可能认为，这台设备的价值与其实际价值不符，因此，据Dan Nystedt和《商业时报》报道，台积电正在转向光掩模防护膜。亚2纳米工艺必须使用防护膜，以防止灰尘和其他颗粒污染工艺。

台积电可能会坚持这种做法，因为它认为，相比于每台高数值孔径 EUV 光刻机 4 亿美元的投入，这是一种值得的替代方案。高数值孔径 EUV 光刻机的另一个缺点是，ASML 每年只能生产 5 到 6 台，而台积电据称将购买 30 台标准 EUV 光刻机，以满足包括苹果在内的众多客户日益增长的需求，因此，花费巨额资金购买数量有限的光刻机，对于其长期目标而言，无疑是徒劳的。

同样，这是一个代价高昂的举措，并且伴随着诸多复杂因素。例如，使用标准 EUV 机器生产 1.4nm 和 1nm 晶圆时，需要更多曝光，这意味着需要频繁使用光掩模才能获得成功，这可能会影响良率。在此阶段，必须使用防护膜，以防止上述灰尘颗粒和污染物进入晶圆制造阶段。

新闻来源：Commercial Times