三星将引进 ASML 顶级光刻工具，与台积电竞争

图片来源：SK海力士

据报道，三星电子将向下一代芯片制造设备投入 1.1 万亿韩元（约合 7.73 亿美元），以在全球生产更小、更强大的半导体的竞争中缩小与竞争对手台积电和英特尔的差距。

据报道，三星计划在其 2 纳米及更高工艺上部署新工具。这些先进的芯片预计将为该公司自家的 Exynos 2600 处理器等未来产品提供动力，并可能用于特斯拉的下一代人工智能硬件。

高NA EUV进入量产时代

EUV 光刻设备用于蚀刻决定芯片密度和性能的复杂电路图案。高数值孔径 EUV 的数值孔径为 0.55，而传统 EUV 的数值孔径为 0.33，可以刻画出精细度约为 1.7 倍的特征，并实现近三倍的晶体管密度提升。据《中央日报》报道，如此高的精度使得芯片能够以更低的功耗提供更高性能，使其成为未来十年半导体微缩的关键设备。

Twinscan EXE:5200B 每台售价约为 5500 亿韩元，针对量产进行了优化，其吞吐量比其研发前代产品 EXE:5000 更高。英特尔于 2025 年 7 月率先接收该型号，而 SK 海力士则在一个月后将一台 Twinscan EXE:5200B 引入其利川 M16 晶圆厂，用于 DRAM 生产。

随着全球厂商转向北美高点市场，晶圆代工竞争愈演愈烈

三星的巨额投资使其处于技术军备竞赛的前沿。英特尔于2025年7月成为首家获得新机器量产模型的公司，SK海力士则在一个月后获得了一台用于生产内存芯片的机器。

三星的最新投资凸显了芯片行业向超精细芯片图案化方向的广泛转变。三星于2018年首次在其7纳米工艺中采用EUV光刻技术，并于2020年将该技术扩展到DRAM制造，这两项技术均为全球首创。

相比之下，据《韩国中央日报》报道，台积电（2330.TW）计划在其2纳米工艺节点上继续使用现有的EUV系统，并开始在其1.4纳米工艺中仅采用高NA EUV 。与此同时，据Wccftech和BITS & CHIPS报道，英特尔已将其ASML高NA EUV订单从一台增加到两台，以加快其14A工艺的开发，该工艺计划于2027年进行风险生产，并于2028年进行量产。

行业观察人士指出，曾经在资本支出方面谨慎的三星，如今正重回积极的投资周期。这家韩国巨头提前押注ASML最先进的平台，彰显了其在全球晶圆代工竞争中重夺领导地位​​的决心。