SK海力士在利川工厂安装首台高NA EUV光刻设备

SK海力士9月3日宣布，在其位于韩国利川的M16半导体工厂引入了业界首台下一代光刻工具——HighNA EUV（极紫外）设备。公司还举办了纪念这一里程碑的仪式。

位于京畿道利川的 SK 海力士 M16 工厂/图片由 SK 海力士提供

新安装的设备是荷兰ASML公司的“TwinScan EXE:5200B”型设备。它是首款配备高数值孔径EUV技术的量产设备。与现有的EUV设备相比，这款先进设备显著提高了分辨率，从而能够创建更精细的电路图案。这一进步有望提高芯片密度、提升功率效率并提升整体性能。

出席在利川校区举行的仪式的知名人士包括 ASML 韩国总裁金炳灿 (Kim Byung-chan)、SK 海力士首席技术官兼未来技术研究负责人 Chae Sun-yong 以及制造技术副总裁李炳基 (Lee Byung-gi)。

SK海力士表示，该设备的采用将提高EUV工艺技术的效率，并加速下一代内存产品的开发。通过同时提高生产力和成本竞争力，该公司旨在巩固其在高附加值内存市场中的地位。

高数值孔径 EUV 技术实现了 0.55 的数值孔径 (NA)，而现有 EUV 设备的数值孔径仅为 0.33。这使得电路图案的精度提高了约 1.7 倍，芯片密度也提高了 2.9 倍。SK 海力士计划通过这项技术，推进对人工智能 (AI) 和下一代计算应用至关重要的高性能存储器的开发。

自2021年10月首次将EUV工艺应用于10纳米级第四代DRAM（1nm）以来，SK海力士不断拓展其应用范围。然而，要突破微细加工的极限，超越现有设备的尖端技术至关重要。高NA EUV的引入被视为应对这一挑战的关键解决方案。

SK海力士首席技术官蔡善勇表示：“凭借这台设备，我们确保了实现未来技术愿景所需的核心基础设施。我们将开发最先进的内存，以满足快速增长的人工智能和下一代计算市场的需求，并引领人工智能内存行业的发展。”