ASML 推出无掩模光刻机只是时间问题
分析指出，ASML 很可能在未来几年将其搁置的无掩模光刻（Maskless Lithography）技术重新启用并推向市场。尽管这一判断基于观察者的直觉，但有充分依据支持该观点。
2000年后不久，ASML 曾对无掩模光刻技术的可行性展开深入研究。此举源于当时芯片光刻技术面临的瓶颈：采用氟化钙光学元件和157nm激光光源的设备开发困难重重（最终于2003年废弃），浸没式光刻（Immersion）技术尚处于萌芽阶段，而极紫外光刻（EUV）的前景仍高度不明朗。
回顾25年前，ASML 总部所在地费尔德霍芬（Veldhoven）曾就技术战略方向进行激烈辩论。除评估157nm、浸没式和EUV路径外，探讨通过逐像素投影芯片图案（或其部分）的经济可行性也被视为有价值的选项。彼时，掩模（光罩）成本呈指数级攀升，芯片互连层数持续增加。采用无掩膜技术，芯片制造商有望切入新的细分市场：小批量ASIC生产将更具可行性；该技术甚至可能促使FPGA客户转向为特定应用生产更廉价、快速且节能的定制芯片。
基于此，ASML 与瑞典 Micronic 公司达成合作，由后者开发用于无掩模设备的微镜阵列。然而，该项目最终搁浅。ASML 时任技术负责人 Martin van den Brink 评估认为，该技术面临的挑战甚至超过同期 EUV 的难度，主要障碍在于满足严苛的高产能要求。因此，这项“微缩打印”技术被 ASML 暂时封存。
在此后一段时间，研究合作伙伴荷兰国家应用科学院（TNO） 持续进行相关研发，直至约2020年后端设备供应商 Onto Innovation 表示出收购意向。这家由 Nanometrics 和 Rudolph（分别贡献光刻与量测技术）合并而成的公司，是成功的后端步进式光刻机（Stepper）供应商，虽对技术感兴趣，但最终未达成交易。
市场条件趋于成熟
综合行业观察，多个因素表明 ASML 在未来数年推出无掩模光刻设备具有高度可能性：
技术可行性提升：历经25年计算能力和存储技术的飞跃，利用高性能计算机精确控制微图案打印已具备现实基础。规模相对较小的 EV Group 于去年5月率先宣布推出计算机控制的无掩模微曝光机（Microscanner）用于后端封装即是佐证。
企业战略转型：在 Christoph Fouquet 领导下，ASML 正为其新发展阶段进行深度布局。面对摩尔定律经济效能的减弱，该光刻巨头着力在其他领域创造价值，例如通过其量测系统和整体解决方案强化工艺控制能力。
后端市场聚焦：自 XT260 i-line 光刻机发布以来，ASML 对半导体制造后道环节的关注已显而易见。其正积极进军快速增长的先进封装市场（详见本刊背景分析）。行业共识认为，未来数据中心、PC、服务器及汽车的计算引擎将高度依赖多芯片集成系统。提供能完美互连这些 IC 的设备将成为制胜关键。
与无掩模光刻早期阶段类似，在先进封装中采用小芯片（Chiplet）虽是简洁理念，但因对精度和洁净工艺的极端要求而实施难度巨大。该领域的主导力量是 IC 制造技术领导者——台积电（TSMC）。目前，这家中国台湾代工厂正为英伟达（Nvidia）、博通（Broadcom）、英特尔（Intel）和 AMD 等客户在各种 AI 系统中部署先进键合技术。
在先进封装领域，台积电的主要设备供应商 ASML 和 Besi（联合合作伙伴应用材料/Applied Materials）被认为占据优势。然而，竞争格局远未定型，尤其考虑到台积电在尖端光刻领域应对垄断供应商的历史经验。后道光刻环节，佳能（Canon） 是重要参与者；晶圆键合领域则面临 ASM 太平洋（ASMPT） 和日本 东京电子（TEL） 等强劲对手。长期客户关系固然重要，但最终所有供应商需以技术实力证明自身价值。
无掩模技术的战略价值
分析认为，无掩模光刻对 ASML 具有显著战略意义：
深厚技术积淀：早在25年前，该公司已利用该技术实现1微米线宽制程。作为参照，佳能顶级（掩模式）后道 i-line 步进式光刻机分辨率为0.8微米。
契合新兴需求：AI 芯片市场存在大量高价值客户。数据中心虽采购量有限，却愿为 AI 加速芯片支付溢价。除传统芯片大厂外，谷歌、Meta、微软等超大规模计算公司正开发自研 AI 芯片及系统——这些中小批量订单要求极高性价比和可靠性的封装方案。无掩模技术有望成为高效构建此类系统中多芯片/小芯片间互连的理想选择。
原文链接：https://bits-chips.com/article/asmls-maskless-scanner-is-a-matter-of-time/
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