Rapidus 安装日本首台 NXE:3800E EUV 光刻机，用于半导体量产

2024年12月18日，先进逻辑半导体制造商 Rapidus Corp. 宣布，ASML 的 EUV 光刻设备已交付并安装至其位于北海道千岁的先进半导体开发和制造工厂——创新制造集成 (IIM-1)。为庆祝该设备的安装，在新千岁机场的 Portom Hall 举行了一场仪式。

LR：横岛直彦（NEDO 总裁）； Toshikazu Okuya（经济产业省商务信息政策局副局长）；铃木直道（北海道知事）； Atsuyoshi Koike 博士（Rapidus 首席执行官）； Jim Koonmen（执行副总裁/首席营销官，ASML）； Gilles Beschoor Plug（荷兰王国驻日本大使）；横田龙一（千岁市市长）。

这是日本半导体行业的一个重要里程碑，标志着EUV光刻设备首次在日本实现量产。除了EUV光刻设备外，Rapidus还将在其IIM-1代工厂安装其他配套的先进半导体制造设备以及全自动物料搬运系统，以优化2纳米代环绕栅极(GAA)半导体制造工艺。

EUV光刻技术是实现2nm半导体的关键技术之一，先进的光刻工艺对于形成2nm代GAA结构至关重要。

ArF（193nm）浸没式曝光一直是 EUV 技术的前沿。然而，2nm 及未来节点需要更短的波长（13.5nm）。最新一代 EUV 光刻技术使用的激光源、光学系统和光掩模比以往更加精确。

安装在 Rapidus IIM-1 晶圆代工厂的 ASML EUV 光刻设备采用了先进的光学系统，该系统由反射式光掩模和镜面透镜组成。该设备采用 TWINSCAN 平台，可在不同的平台上进行对准和扫描，从而在提高生产效率的同时应对晶体管尺寸的不断缩小。

Rapidus 的 IIM-1 于 2025 年 4 月开始试点。所有制造设备都将引入单晶圆工艺，Rapidus 将在此着手建设一项名为快速统一制造服务 (RUMS) 的新型半导体代工服务。