美光科技宣布，在美国投资增至2000亿美元！

存储芯片制造商美光科技（Micron Technology）公司表示，将在美国制造、研发方面投资约2000亿美元，美光在声明中表示，这笔支出将包括约1500亿美元用于美国制造产能，以及500亿美元用于研发。

美光表示，这一总额比其之前的计划增加了300亿美元。美光额外加码的300 亿美元在原先计划之外，涵盖兴建第二座爱达荷州新厂、扩建维吉尼亚州现有厂房，以及导入高带宽内存 (HBM) 封装技术，以支持未来 AI 市场所带动的成长。HBM芯片与英伟达的AI加速器配套使用，对于训练先进的AI服务至关重要。

HBM已成为内存芯片市场增长最快、利润最高的细分市场之一。该公司目前已在爱达荷州第一座先进厂房完成部分建设，预计 2027 年开始生产DRAM 芯片；第二座工厂也将于近期启动建设。位于纽约的晶圆厂则预计年底完成环评后动工，整体计划可望支撑美光在美国生产 40%DRAM 的目标。

美光先前亦获得提供高达 64 亿美元直接补助，另在维吉尼亚厂扩建计划中也取得 2.75 亿美元援助，该厂将导入先进 1-alpha DRAM 制程，支持汽与工业等领域需求。美光的投资还将用于在爱达荷州博伊西市建设一家内存工厂，并对弗吉尼亚州马纳萨斯市的现有工厂进行现代化升级。

美光表示，包括最新的投资承诺在内，这些投资预计将创造约9万个直接和间接就业岗位。美光执行长梅罗特拉 (Sanjay Mehrotra) 表示，此笔投资将创造约 9 万个直接与间接就业机会，巩固美国半导体领导地位，并保障供应链安全。他强调：「这项投资将确保美国在 AI、汽车与等关键产业的领先地位。

【锐评】

美光科技此次2000亿美元投资（含1500亿美元制造与500亿美元研发）是美国强化半导体供应链自主的核心举措，旨在应对全球技术竞争与地缘政治风险。其重点加码HBM、3D NAND等先进技术研发，直指AI浪潮下的存储需求，同时通过本土产能扩张（如纽约州DRAM工厂、爱达荷州晶圆厂）降低对亚洲供应链依赖。此举将推动美国存储芯片全球份额从不足2%向10%跃升，并挤压三星、SK海力士等对手空间。

然而，该计划亦凸显半导体产业“双轨化”趋势：美光在华同步追加西安封测厂投资43亿元，却因产品未通过中国安全审查面临市场阻力，反映技术主权竞争正撕裂全球产业链。美国以《芯片法案》补贴64亿美元助推此投资，实为以国家资本重塑产业格局，可能加剧全球半导体市场的战略博弈与技术割裂。