三星电子成立特别工作组推动第七代 DRAM 量产

市场研究公司Counterpoint Research于4月9日公布了全球DRAM销售额市场份额。（图片由Counterpoint Research提供）

三星电子宣布成立一个工作组，致力于推进第七代 DRAM 的量产。这一举措被视为潜在的游戏规则改变者，旨在颠覆高带宽内存 (HBM) 领域及其他领域的当前动态。这一声明是在业内竞争对手 SK Hynix 和美光的激烈竞争中发布的，这两家公司都在 DRAM 技术方面取得了重大进展。

去年，SK海力士完成了第六代DRAM（D1c）的开发，并于8月对D1d进行了工艺可靠性评估。该公司目前已确保该代产品的量产能力，并计划从今年下半年开始将其应用于通用DRAM。在去年 1 月举行的业绩发布会上，SK 海力士强调了其战略投资，旨在提高产量，以应对未来的 HBM 供应形势。 SK海力士相关人士表示：“未来我们将把1c纳米工艺应用于HBM4E，通过及时开发和供应来保持市场领先地位。”

与此同时，美光公司上个月也通过向潜在客户运送基于“1γ”（伽马）的 DDR5 样品引起轰动，这与他们在 D1c 技术方面的进步相一致。尽管在第五代 DRAM 方面最初落后于三星电子，但 SK 海力士和美光去年都成功将 D1b 商业化。

三星决定停止生产较旧的 10 纳米 (1z) 工艺 LPDDR4 8 千兆位芯片，这突显了三星重新关注第 7 代 DRAM。作为此次战略改革的一部分，三星 DS 部门负责人 Jeon Young-hyun 已下令对 D1a（第 4 代）电路进行部分重新设计。该公司计划于 2026 年开始量产 10 纳米级 D1d，并于 2027 年开始量产亚 10 纳米级第一代 DRAM（D0a）。

随着三星电子踏上推进第七代 DRAM 技术的雄心勃勃的征程，行业观察家将密切关注这些发展如何影响全球内存市场动态。随着 SK 海力士今年专注于高带宽内存投资，以及美光公司推进其 DDR5 产品，技术领先地位的竞争仍在继续。其结果可能不仅会影响企业的命运，还会影响未来几年半导体行业的更广泛趋势。