台积电放弃高数值孔径 EUV 光刻技术

2025-05-16

根据台积电北美技术研讨会的报告，台积电不需要使用高NA极紫外光刻工具来制造其A14（1.4nm）工艺的芯片。

该公司在研讨会上介绍了 A14 工艺，并表示预计将于 2028 年投入生产。此前曾表示，A16 工艺将于 2026 年底问世，而且也不需要高 NA EUVL 工具。

据报道，业务发展高级副总裁 Kevin Zhang 在发布会上表示：“从 2nm 到 A14，我们不必使用高 NA，但我们可以在处理步骤方面继续保持类似的复杂性。”

这与英特尔形成了鲜明对比。英特尔一直积极采用高数值孔径 (NA) 技术，力求追赶半导体代工市场领头羊台积电和三星。英特尔是第一家获得高数值孔径 EUVL 光刻机的公司，并计划于 2025 年开始采用 18A 制程工艺生产高数值孔径 EUVL 芯片。

一切都与价格有关

台积电迟迟未采用该技术的一个关键原因可能是垄断供应商阿斯麦（ASML）对这些设备标价过高。据称，高数值孔径（NA）EUV曝光机的价格约为3.8亿美元，是上一代低数值孔径EUV曝光机（约1.8亿美元）的两倍多。

台积电显然已经计算过，采用低NA EUVL进行多重图案化工艺更具成本效益，并且生产线的停留时间会略长。此外，使用当前一代设备，其已获得良好的良率也将使其受益。

目前英特尔是否会继续积极拥抱这项技术还有待观察，因为该公司目前有一位新首席执行官——陈立武 (Lip-Bu Tan)，而陈立武对英特尔代工的计划尚未完全披露。

英特尔与台积电

另据报道，英特尔与台积电已达成初步协议，将组建合资企业来运营英特尔的芯片制造工厂。

陈志云告诉分析师，他最近与台积电首席执行官魏哲家以及台积电创始人兼前董事长张忠谋会面。“张忠谋和魏哲家是我的老朋友。我们最近也进行了会面，试图寻找可以合作的领域，从而实现双赢。”陈志云在分析师电话会议上表示。

台积电 A14 制程的首款产品并未采用背面配电技术。一款名为 A14P 的变体将于 2029 年推出，该变体支持背面配电技术，而后续的高性能版本 A14X 则可能成为高数值孔径 EUVL 技术的候选方案。

即使英特尔和三星继续采用高数值孔径 EUVL 技术，在尖端工艺上追赶台积电，它们也面临着开发成本的问题。通过率先采用这项技术，它们或许可以为台积电在认为具有成本效益时介入并采用高数值孔径 EUVL 技术铺平道路。