英国南安普顿大学开设首个分辨率达 5 纳米以下的 200kV电子束光刻中心

南安普顿大学开设日本以外首个分辨率达 5 纳米以下的电子束光刻中心

该电子束光刻 (EBL) 设​​备是全球第二台使用 200kV 系统（JEOL JBX-8100 G3）的设备。美国 Skywater 等代工厂使用低功率电子束光刻技术进行小批量生产。

JEOL 系统的高加速电压可在 200 毫米晶圆上实现亚 5 纳米级精细结构的分辨率处理。这可以在厚至 10 微米的光刻胶中实现，且侧壁几乎垂直，可用于开发电子和光子学领域研究芯片中的新结构。第二台 EBL 设备——100kV JEOL JBX-A9 计划用于支持更大批量的 300 毫米晶圆。

JEOL 加速电压直写电子束光刻 (EBL) 系统位于 南安普顿大学蒙巴顿综合大楼内一个专门建造的 820 平方米洁净室内。

“我们非常荣幸成为日本以外首个拥有这套新一代200千伏电子束光刻系统的机构。南安普顿大学在电子束光刻领域拥有超过30年的经验，”南安普顿大学马丁·查尔顿教授说道。“这将有助于推动量子计算、硅光子学和下一代电子系统领域的发展。这套设备与我们现有的微加工设备套件相得益彰，使我们能够研发和生产各种用于电子、光子学和生物纳米技术的集成纳米级器件。”

英国科学大臣瓦兰斯勋爵昨天在该中心的开幕仪式上表示：“英国拥有世界上最令人兴奋的半导体研究成果，而南安普敦的新电子束设施将极大地提升我们国家的能力。”

“通过对基础设施和人才的投资，我们为我们的研究人员和创新者提供在英国开发下一代芯片所需的支持。”

“新电子束设施的引入将巩固我们在英国学术界拥有最先进洁净室的地位，”领导 光电子研究中心 （ORC）和Cornerstone光子学代工厂的Graham Reed教授表示，“它促进了大量创新和工业相关的研究，以及急需的半导体技能培训。”

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