在保持较长使用寿命的同时提高OLED亮度，常见方法是采用多层堆叠OLED结构。弗劳恩霍夫光子微系统研究所（IPMS）的科学家近日开发出一款高压CMOS背板，能实现超高亮度微显示屏。该技术将于2025年5月13-15日在美国圣何塞举办的SID Display Week 2025展会（德国馆1135号展位）首度亮相。
OLED微显凭借卓越画质与高亮度惠及众多应用场景：无论是需要在多变光照下呈现鲜艳清晰内容的增强现实眼镜，还是追求逼真明亮画面的虚拟现实头显。IPMS声明指出："OLED在严苛环境下的极限亮度存在瓶颈，因此业界常推荐microLED作为替代方案，宣称其亮度可达百万尼特量级。"但microLED在高分辨率微显所需的高像素密度下会出现严重效率衰减，工作电流需超过1A/cm²，且全彩技术尚未成熟；而OLED在长寿命模式下的工作电流密度通常低于100mA/cm²。通过垂直堆叠OLED层可显著改善这些限制。IPMS微显与传感器负责人Uwe Vogel博士表示："我们开发的创新像素单元设计支持10伏以上电压摆幅，可驱动多层顶部发光OLED结构。该方案在保证寿命与可靠性的前提下，能实现超10,000尼特的全彩峰值亮度。"采用高压CMOS背板的多层堆叠OLED技术，将大幅拓展高亮度OLED微显的市场空间。Lumileds 和 Eindhoven借力超表面提升microLED性能
Lumileds与Eindhoven埃因霍温理工大学）的合作取得"技术突破"，通过在芯片层级集成超表面结构改善microLED出光方向性并提升效率。研究团队在《自 Nature Communications Engineering》发表论文称，将纳米圆盘构成的超表面嵌入microLED的P型接触层后，成功激活有源区发射偶极子的集体共振，光提取效率与辐射复合率显著提升。经纳米结构晶格优化，轴向发光强度实现翻倍增长。Lumileds研发首席科学家Toni Lopez指出："增强现实等应用需要突破LED朗伯体辐射模式的局限，我们的纳米光子学方案解决了二次光学耦合效率与高环境光下显示亮度的难题。"首席技术官Oleg Shchekin强调："该技术通过标准复合接触工艺整合超表面，在避免半导体损伤的同时兼容现有产线，未来有望拓展至更广泛的LED应用领域。"此项突破源自Lumileds与Eindhoven（埃因霍温理工大学）Jaime Gomez Rivas教授团队多年的产学研合作，不仅实现了LED光束角窄化与能效提升的双重优化，更为下一代高效LED产品开辟了新路径。
