尼康官宣旗下首款半导体后端工艺用光刻机：1.0微米分辨率，预计2026 财年发售

尼康本月22日宣布该公司正在研发一款面向半导体先进封装工艺应用、“兼具高分辨率及高生产性能的1.0 微米（即1000纳米）分辨率数字光刻机，该设备预计在尼康 2026 财年内发售。

尼康表示，随着数据中心 AI 芯片用量的不断提升，在以 Chiplet 芯粒技术为代表的先进封装领域出现了对基于玻璃面板的 PLP 封装技术日益增长的需求，分辨率高且曝光面积大的后端光刻机也愈发不可或缺。

尼康正在研发的后端数字光刻机将半导体光刻机代表性的高分辨率技术同显示产业所用 FPD 曝光设备的多透镜组技术相融合。其曝光过程无需使用掩膜，而是利用 SLM（空间光调制器）来生成所设计的电路图案，从光源发出的光经 SLM 反射后通过透镜光学组，最终在基板上成像。

尼康宣称其新设备相较于传统的有掩膜工艺可同时削减后端工艺的成本和用时，其1.0μm的分辨率也足以满足当前半导体封装工艺的需求，为芯片制造商提供了更加高效、可靠的制造工具。

使用空间光调制器（SLM）的曝光技术相比传统的掩膜曝光方法具有以下优势：灵活性和快速响应，便捷、灵活地产生曝光图形，无需物理掩膜版，这样可以快速更改设计而不需要重新制作掩膜，从而加快了产品开发周期；降低成本，由于不需要制作实体掩膜，SLM技术可以减少小批量高精度掩模制作的时间和成本；并行处理能力，可以实现并行曝光，即同时曝光多个图案，这可以提高生产效率；减少光学邻近效应，过优化算法和微镜的排列方式来改善成像系统的焦深，减少光学邻近效应（Optical Proximity Effects）的影响，从而提高成像质量；适用于复杂结构，SLM技术特别适合于制造复杂或定制化的微结构，而这些结构使用传统掩膜曝光可能难以实现。