佳能纳米压印光刻系统向德克萨斯电子研究所交付，用于半导体制造！

2024年9月26日，佳能公司宣布，其最先进的半导体制造光刻平台——FPA-1200NZ2C纳米压印光刻（NIL）系统将交付给位于德克萨斯的半导体联盟德克萨斯电子研究所（TIE）。

佳能公司在2023年10月13日发布FPA-1200NZ2C时，成为全球首家将使用NIL技术的半导体制造系统商业化的公司。NIL技术采用与传统投影曝光技术不同的方法形成电路图案。

与通过投影将电路图案转移到涂有光刻胶的晶圆上的传统光刻设备不同，这款新产品通过像盖章一样将印有电路图案的掩模压入晶圆上的光刻胶中来完成这一过程。由于其电路图案转移过程不经过光学机制，因此掩模上的精细电路图案可以忠实地复制到晶圆上。新系统以更低的功耗和成本，实现了最小线宽为14纳米的图案化，这相当于目前生产最先进逻辑半导体所需的5纳米节点。

这款FPA-1200NZ2C将在TIE用于先进半导体的研发和生产原型。

TIE是一个成立于2021年的半导体联盟，由德克萨斯大学奥斯汀分校支持。它由州和地方政府、半导体公司、国家研究机构和其他实体组成。TIE提供半导体研发计划和原型制作设施的开放访问权限，以帮助解决与先进半导体技术（包括先进封装技术）相关的问题。

佳能将继续推动半导体制造用纳米压印光刻系统的研发，为半导体制造技术的进步做出贡献。

注：1纳米 = 十亿分之一米nm节点：指半导体制造过程中的一代技术