台湾内存大厂南亚20nm技术机密外泄！

据媒体报道，南亚某李姓小组长想跳槽，偷偷记录20纳米DRAM晶圆制程，该公司发现机密资料外泄，查出是李某窃取，桃园地检署侦结后起诉，中国台湾最高法院判处李某1年10个月有期徒刑。

2015-2016年间，南亚从美光引入了20nm DRAM内存芯片制造工艺，曾向相关业务部门的员工开设了线上培训课程。一位李姓小组长在参加培训的过程中，通过截屏的方式，偷偷记录了相关技术资料，作为自己后续跳槽的资本。李某被抓获后，桃园地检署对其提出起诉，认定相关资料具有秘密性、经济价值。

桃园地检署认定这些资料具有秘密性及经济价值，一审认为李某为了跳槽而重制具有重大经济价值、攸关企业生存与否的先进制程技术秘密，加上否认犯行、态度恶劣，依商业秘密法判他1年10月徒刑。李某和检方皆上诉，检察官指非法重制本案投影片文件的经济价值高达数十亿元新台币(单位下同)，李某的行为将使南亚蒙受巨额损失，请求重判。

据悉，南亚是中国台湾存储芯片大厂，南亚2023年收入298.92亿台币，大跌47.51％，税后净亏损74.48亿台币，毛利率-15％，营业利润率-48.37％。

南亚计划今年投产基于第二代10nm工艺的8Gb DDR4、16Gb DDR5内存芯片，年资本支出预计约200亿台币，尚待董事会决议核准。